Koupit IRLL2703TR s BYCHPS
Koupit se zárukou
IRLL2703TR
- Part Number:
- IRLL2703TR
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
- Stav volného vedení / RoHS:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- dostupné množství:
- 17178 Pieces
- Datový list:
- IRLL2703TR.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRLL2703TR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRLL2703TR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-223 |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 1W (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-261-4, TO-261AA |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IRLL2703TR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 30V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Popis: | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRLL2703TR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLL2703 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 | Dotaz |
|
IRLL2703PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 | Dotaz |
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | Dotaz |
|
IRLL2703TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 | Dotaz |
|
IRLL2705PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | Dotaz |
|
IRLL2705TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers