IRFBE20
IRFBE20
Part Number:
IRFBE20
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
Stav volného vedení / RoHS:
Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
dostupné množství:
17986 Pieces
Datový list:
1.IRFBE20.pdf2.IRFBE20.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRFBE20, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRFBE20 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IRFBE20 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-220AB
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Ztráta energie (Max):54W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-220-3
Ostatní jména:*IRFBE20
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IRFBE20
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 800V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain na zdroj napětí (Vdss):800V
Popis:MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře