Koupit IRF510L s BYCHPS
Koupit se zárukou
IRF510L
- Part Number:
- IRF510L
- Výrobce:
- Vishay / Siliconix
- Popis:
- MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
- Stav volného vedení / RoHS:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- dostupné množství:
- 19400 Pieces
- Datový list:
- IRF510L.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRF510L, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRF510L e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-262-3 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 540 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Ostatní jména: | *IRF510L |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IRF510L |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 100V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 100V |
| Popis: | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRF510L
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Dotaz |
 |
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dotaz |
|
IRF510STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dotaz |
|
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dotaz |
|
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dotaz |
|
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dotaz |
 |
AUIRFR3806TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | Dotaz |
 |
RJK6024DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A | Dotaz |
|
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Dotaz |
|
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Dotaz |
 |
STB23NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK | Dotaz |
 |
FQD5N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers