Koupit IPW65R041CFD s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 3.3mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO247-3 |
Série: | CoolMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 41 mOhm @ 33.1A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 500W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-247-3 |
Ostatní jména: | IPW65R041CFDFKSA1 SP000756288 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IPW65R041CFD |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 8400pF @ 100V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 650V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 650V |
Popis: | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 68.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |