IPP65R150CFDXKSA1
IPP65R150CFDXKSA1
Part Number:
IPP65R150CFDXKSA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18652 Pieces
Datový list:
IPP65R150CFDXKSA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPP65R150CFDXKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPP65R150CFDXKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPP65R150CFDXKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4.5V @ 900µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO-220-3
Série:CoolMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 9.3A, 10V
Ztráta energie (Max):195.3W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-220-3
Ostatní jména:SP000907024
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPP65R150CFDXKSA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2340pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 650V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:22.4A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře