Koupit IPP65R110CFDXKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 1.3mA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO-220-3 |
Série: | CoolMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 277.8W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-220-3 |
Ostatní jména: | IPP65R110CFD IPP65R110CFD-ND SP000895226 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IPP65R110CFDXKSA1 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 700V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 700V |
Popis: | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |