Koupit IPP60R099CPAAKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IPP60R099CPAAKSA1
- Part Number:
- IPP60R099CPAAKSA1
- Popis:
- MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 14335 Pieces
- Datový list:
- IPP60R099CPAAKSA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPP60R099CPAAKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPP60R099CPAAKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5V @ 1.2mA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO-220-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 18A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 255W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | IPP60R099CPA IPP60R099CPA-ND SP000315418 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IPP60R099CPAAKSA1 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 100V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 600V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Popis: | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPP60R099CPAAKSA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | Dotaz |
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dotaz |
|
IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | Dotaz |
 |
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | Dotaz |
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | Dotaz |
|
IPP600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 | Dotaz |
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | Dotaz |
|
IPP60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | Dotaz |
|
IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | Dotaz |
|
IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | Dotaz |
|
IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog