Koupit IPL60R185P7AUMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IPL60R185P7AUMA1
- Part Number:
- IPL60R185P7AUMA1
- Popis:
- MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16269 Pieces
- Datový list:
- IPL60R185P7AUMA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPL60R185P7AUMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPL60R185P7AUMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 280µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-VSON-4 |
| Série: | CoolMOS™ P7 |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 185 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 81W (Tc) |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | 4-PowerTSFN |
| Ostatní jména: | IPL60R185P7AUMA1DKR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IPL60R185P7AUMA1 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1081pF @ 400V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 650V 19A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 650V |
| Popis: | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPL60R185P7AUMA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON | Dotaz |
 |
IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON | Dotaz |
 |
IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | Dotaz |
 |
IPL60R385CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON | Dotaz |
|
IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4 | Dotaz |
|
IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4VSON | Dotaz |
|
IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | Dotaz |
|
IPL60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON | Dotaz |
|
IPL60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON | Dotaz |
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON | Dotaz |
|
IPL60R650P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | Dotaz |
|
IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers