IPB034N06L3 G
IPB034N06L3 G
Part Number:
IPB034N06L3 G
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13198 Pieces
Datový list:
IPB034N06L3 G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPB034N06L3 G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPB034N06L3 G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPB034N06L3 G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.2V @ 93µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO263-2
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 90A, 10V
Ztráta energie (Max):167W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:IPB034N06L3 G-ND
IPB034N06L3G
IPB034N06L3GATMA1
SP000398062
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:12 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPB034N06L3 G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře