HUF75631S3ST
HUF75631S3ST
Part Number:
HUF75631S3ST
Výrobce:
Fairchild/ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17482 Pieces
Datový list:
HUF75631S3ST.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro HUF75631S3ST, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu HUF75631S3ST e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit HUF75631S3ST s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:D²PAK (TO-263AB)
Série:UltraFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 33A, 10V
Ztráta energie (Max):120W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:HUF75631S3ST-ND
HUF75631S3STFSTR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:9 Weeks
Výrobní číslo výrobce:HUF75631S3ST
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1220pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře