H5N2522LSTL-E
H5N2522LSTL-E
Part Number:
H5N2522LSTL-E
Výrobce:
Renesas Electronics America
Popis:
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16123 Pieces
Datový list:
H5N2522LSTL-E.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro H5N2522LSTL-E, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu H5N2522LSTL-E e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit H5N2522LSTL-E s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:-
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:4-LDPAK
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 10A, 10V
Ztráta energie (Max):75W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:SC-83
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:H5N2522LSTL-E
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 250V 20A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Drain na zdroj napětí (Vdss):250V
Popis:MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře