Koupit FQP10N20 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-220-3 |
Série: | QFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 5A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 87W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-220-3 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | FQP10N20 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 670pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 200V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 200V |
Popis: | MOSFET N-CH 200V 10A TO-220 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |