Koupit FQB70N10TM_AM002 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | D²PAK (TO-263AB) |
Série: | QFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 28.5A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 3.75W (Ta), 160W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | FQB70N10TM_AM002 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3300pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 100V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 100V |
Popis: | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 57A (Tc) |
Email: | [email protected] |