Koupit FGB30N6S2T s BYCHPS
Koupit se zárukou
FGB30N6S2T
- Part Number:
- FGB30N6S2T
- Výrobce:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Popis:
- IGBT 600V 45A 167W TO263AB
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 19662 Pieces
- Datový list:
- FGB30N6S2T.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro FGB30N6S2T, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu FGB30N6S2T e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 12A |
| Zkušební podmínky: | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 6ns/40ns |
| přepínání energie: | 55µJ (on), 110µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-263AB |
| Série: | - |
| Power - Max: | 167W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | FGB30N6S2T_NL FGB30N6S2T_NLTR FGB30N6S2T_NLTR-ND FGB30N6S2TTR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | FGB30N6S2T |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | - |
| Gate Charge: | 23nC |
| Rozšířený popis: | IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB |
| Popis: | IGBT 600V 45A 167W TO263AB |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 108A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 45A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FGB30N6S2T
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
SGP23N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 23A 100W TO220 | Dotaz |
 |
FGB30N6S2D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | Dotaz |
|
FGB30N6S2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | Dotaz |
|
FGB30N6S2DT | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | Dotaz |
 |
STGWS38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 55A 180W TO247 | Dotaz |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dotaz |
 |
FGB3040G2_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 400V 41A TO263 | Dotaz |
 |
IRG4RC10UTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | Dotaz |
|
STGW15H120DF2 | STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 | Dotaz |
 |
IXGH24N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247 | Dotaz |
 |
FGA20N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 298W TO3PN | Dotaz |
 |
IRGR4607DTRPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 58W DPAK | Dotaz |
 |
FGB3040CS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 430V 21A 150W TO263-6 | Dotaz |
|
STGWA80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO247 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog