FDD13AN06A0_F085
FDD13AN06A0_F085
Part Number:
FDD13AN06A0_F085
Výrobce:
Fairchild/ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17684 Pieces
Datový list:
FDD13AN06A0_F085.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro FDD13AN06A0_F085, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu FDD13AN06A0_F085 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit FDD13AN06A0_F085 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-252AA
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):115W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:FDD13AN06A0_F085-ND
FDD13AN06A0_F085TR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:7 Weeks
Výrobní číslo výrobce:FDD13AN06A0_F085
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):6V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9.9A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře