FDC655BN
FDC655BN
Part Number:
FDC655BN
Výrobce:
Fairchild/ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19481 Pieces
Datový list:
FDC655BN.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro FDC655BN, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu FDC655BN e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit FDC655BN s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SuperSOT™-6
Série:PowerTrench®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 6.3A, 10V
Ztráta energie (Max):1.6W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ostatní jména:FDC655BN-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:12 Weeks
Výrobní číslo výrobce:FDC655BN
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:6.3A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře