Koupit EPC2029ENGR s BYCHPS
Koupit se zárukou
EPC2029ENGR
- Part Number:
- EPC2029ENGR
- Výrobce:
- EPC
- Popis:
- TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 14809 Pieces
- Datový list:
- EPC2029ENGR.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro EPC2029ENGR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu EPC2029ENGR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 12mA |
|---|---|
| Technika: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Dodavatel zařízení Package: | Die |
| Série: | eGaN® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 30A, 5V |
| Ztráta energie (Max): | - |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | Die |
| Ostatní jména: | 917-EPC2029ENGR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | EPC2029ENGR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 40V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 80V |
| Popis: | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro EPC2029ENGR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2024 | EPC | MOSFET NCH 40V 60A DIE | Dotaz |
|
EPC2020 | EPC | TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2021ENGR | EPC | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2023ENG | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2022 | EPC | TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2025 | EPC | TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2022ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2020ENG | EPC | TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2024ENG | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2029 | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2029ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2030ENGRT | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | Dotaz |
|
EPC2023ENGR | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2025ENGR | EPC | TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2021ENG | EPC | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2021 | EPC | TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2024ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2020ENGR | EPC | TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog