Koupit DMN3008SFG-7 s BYCHPS
Koupit se zárukou
DMN3008SFG-7
- Part Number:
- DMN3008SFG-7
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13249 Pieces
- Datový list:
- DMN3008SFG-7.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMN3008SFG-7, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMN3008SFG-7 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerDI3333-8 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 900mW (Ta) |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | 8-PowerWDFN |
| Ostatní jména: | DMN3008SFG-7DIDKR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | DMN3008SFG-7 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3690pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 30V 17.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Popis: | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 17.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DMN3008SFG-7
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Dotaz |
|
DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | Dotaz |
 |
DMN3042L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | Dotaz |
 |
DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | Dotaz |
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | Dotaz |
 |
DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Dotaz |
|
DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Dotaz |
|
DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Dotaz |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | Dotaz |
|
DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | Dotaz |
 |
DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | Dotaz |
|
DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers