DMN2020LSN-7
DMN2020LSN-7
Part Number:
DMN2020LSN-7
Výrobce:
Diodes Incorporated
Popis:
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18295 Pieces
Datový list:
DMN2020LSN-7.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMN2020LSN-7, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMN2020LSN-7 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit DMN2020LSN-7 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SC-59-3
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Ztráta energie (Max):610mW (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ostatní jména:DMN2020LSN-7DITR
DMN2020LSN7
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:DMN2020LSN-7
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1149pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 20V 6.9A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):2.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Popis:MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:6.9A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře