DMN10H120SE-13
DMN10H120SE-13
Part Number:
DMN10H120SE-13
Výrobce:
Diodes Incorporated
Popis:
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16628 Pieces
Datový list:
DMN10H120SE-13.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMN10H120SE-13, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMN10H120SE-13 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit DMN10H120SE-13 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SOT-223
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 3.3A, 10V
Ztráta energie (Max):1.3W (Ta)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:TO-261-4, TO-261AA
Ostatní jména:DMN10H120SE-13DIDKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:DMN10H120SE-13
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:549pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):6V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře