Koupit C4D10120E-TR s BYCHPS
Koupit se zárukou
C4D10120E-TR
- Part Number:
- C4D10120E-TR
- Výrobce:
- Cree
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 14768 Pieces
- Datový list:
- C4D10120E-TR.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro C4D10120E-TR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu C4D10120E-TR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-252-2 |
| Rychlost: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | Z-Rec® |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 0ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 4 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | C4D10120E-TR |
| Rozšířený popis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 33A Surface Mount TO-252-2 |
| Diode Type: | Silicon Carbide Schottky |
| Popis: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 250µA @ 1200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 33A |
| Kapacitní @ Vr, F: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro C4D10120E-TR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-MBRB735TRLPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A D2PAK | Dotaz |
 |
C4D10120E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | Dotaz |
 |
C4D10120A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Dotaz |
 |
MBR16H35-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY TO-220AC | Dotaz |
 |
GP20B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A GP20 | Dotaz |
 |
SS36-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 3A 60V DO-214AB | Dotaz |
 |
BAT43WS-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323 | Dotaz |
 |
CMH04(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT | Dotaz |
 |
C4D10120D | Cree/Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Dotaz |
 |
SK15-13-F | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers