Koupit C3M0065090D s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 2.1V @ 5mA |
---|---|
Vgs (Max): | +18V, -8V |
Technika: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-247-3 |
Série: | C3M™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Ztráta energie (Max): | 125W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-247-3 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | C3M0065090D |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 30.4nC @ 15V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 900V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 15V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 900V |
Popis: | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
Email: | [email protected] |