Koupit BLL6G1214L-250,112 s BYCHPS
Koupit se zárukou
BLL6G1214L-250,112
- Part Number:
- BLL6G1214L-250,112
- Výrobce:
- Ampleon
- Popis:
- RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17021 Pieces
- Datový list:
- BLL6G1214L-250,112.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro BLL6G1214L-250,112, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BLL6G1214L-250,112 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 36V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 89V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | LDMOST |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 250W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | SOT-502A |
| Ostatní jména: | 934066063112 BLL6G1214L-250112 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | BLL6G1214L-250,112 |
| Získat: | 15dB |
| Frekvence: | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS 36V 150mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 15dB 250W LDMOST |
| Popis: | RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLL6G1214L-250,112
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PD57002-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 960MHZ PWRSO10 | Dotaz |
 |
MRF21045LSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S | Dotaz |
 |
BLL6G1214LS-250,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B | Dotaz |
 |
VRF150MP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174 | Dotaz |
 |
BLF7G24L-160P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A | Dotaz |
|
A2T18S162W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
|
BLF888A,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A | Dotaz |
 |
VRF150 | Microsemi Corporation | MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 | Dotaz |
 |
MRF7S21170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Dotaz |
 |
BLF6G22LS-40P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B | Dotaz |
 |
PTFA041501FV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2 | Dotaz |
 |
MD7P19130HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4 | Dotaz |
|
MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | Dotaz |
 |
ATF-38143-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 4.5V 2GHZ SOT343 | Dotaz |
|
MRF6VP121KHSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog