Koupit BLD6G22L-50,112 s BYCHPS
Koupit se zárukou
BLD6G22L-50,112
- Part Number:
- BLD6G22L-50,112
- Výrobce:
- Ampleon
- Popis:
- RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13122 Pieces
- Datový list:
- BLD6G22L-50,112.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro BLD6G22L-50,112, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BLD6G22L-50,112 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Dodavatel zařízení Package: | CDFM4 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 8W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | SOT-1130A |
| Ostatní jména: | 568-8632 568-8632-5 568-8632-ND 934063511112 BLD6G22L-50,112-ND BLD6G22L50112 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | BLD6G22L-50,112 |
| Získat: | 14dB |
| Frekvence: | 2.14GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.14GHz 14dB 8W CDFM4 |
| Popis: | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 10.2A |
| Aktuální - Test: | 170mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLD6G22L-50,112
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G22LS-220J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | Dotaz |
 |
BF556A,235 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 7MA SOT23 | Dotaz |
 |
A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
 |
BLD6G21L-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A | Dotaz |
 |
MRF8P9300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS | Dotaz |
 |
SD2932B | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 | Dotaz |
 |
CE3521M4-C2 | CEL | RF FET 4V 20GHZ SOT343 | Dotaz |
 |
BLD6G22LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B | Dotaz |
|
MMRF1020-04GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G | Dotaz |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | Dotaz |
 |
MMBFJ310LT3G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA SOT23 | Dotaz |
 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B | Dotaz |
 |
BF1202WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | Dotaz |
 |
PD85004 | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | Dotaz |
 |
MAGX-001214-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog