ATP212-TL-H
ATP212-TL-H
Part Number:
ATP212-TL-H
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18552 Pieces
Datový list:
ATP212-TL-H.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro ATP212-TL-H, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu ATP212-TL-H e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit ATP212-TL-H s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:-
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:ATPAK
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 18A, 10V
Ztráta energie (Max):40W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:ATPAK (2 leads+tab)
Ostatní jména:869-1084-2
ATP212TLH
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:ATP212-TL-H
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1820pF @ 20V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:34.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 35A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře