Koupit APT35GP120B2DQ2G s BYCHPS
Koupit se zárukou
APT35GP120B2DQ2G
- Part Number:
- APT35GP120B2DQ2G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 1200V 96A 543W TMAX
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13756 Pieces
- Datový list:
- 1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro APT35GP120B2DQ2G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu APT35GP120B2DQ2G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3.9V @ 15V, 35A |
| Zkušební podmínky: | 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 16ns/95ns |
| přepínání energie: | 750µJ (on), 680µJ (off) |
| Série: | POWER MOS 7® |
| Power - Max: | 543W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 Variant |
| Ostatní jména: | APT35GP120B2DQ2GMI APT35GP120B2DQ2GMI-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 22 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | APT35GP120B2DQ2G |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | PT |
| Gate Charge: | 150nC |
| Rozšířený popis: | IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole |
| Popis: | IGBT 1200V 96A 543W TMAX |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 140A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 96A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT35GP120B2DQ2G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT35GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | Dotaz |
|
APT35GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Dotaz |
 |
APT35GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | Dotaz |
|
APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO247 | Dotaz |
|
APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | Dotaz |
 |
APT35DL120HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | Dotaz |
 |
HGTP12N60C3 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 104W TO220AB | Dotaz |
 |
APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | Dotaz |
|
APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Dotaz |
|
APT35GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | Dotaz |
|
APT35GT120JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog