Koupit APT33GF120LRDQ2G s BYCHPS
Koupit se zárukou
APT33GF120LRDQ2G
- Part Number:
- APT33GF120LRDQ2G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13373 Pieces
- Datový list:
- APT33GF120LRDQ2G.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro APT33GF120LRDQ2G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu APT33GF120LRDQ2G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3V @ 15V, 25A |
| Zkušební podmínky: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 14ns/185ns |
| přepínání energie: | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-264 [L] |
| Série: | - |
| Power - Max: | 357W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-264-3, TO-264AA |
| Ostatní jména: | APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | APT33GF120LRDQ2G |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT |
| Gate Charge: | 170nC |
| Rozšířený popis: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] |
| Popis: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 75A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT33GF120LRDQ2G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | Dotaz |
 |
IXBH14N250A | IXYS | IGBT 2500V TO247AD | Dotaz |
|
IXGH40N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V TO-247 | Dotaz |
|
IXXH40N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 120A 455W TO247AD | Dotaz |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Dotaz |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
|
IXGH30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | Dotaz |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Dotaz |
 |
RJH60F0DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P | Dotaz |
|
IXGH30N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | Dotaz |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
 |
IRGIB4630DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 47A 206W TO220 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog