Koupit APT33GF120BRG s BYCHPS
Koupit se zárukou
APT33GF120BRG
- Part Number:
- APT33GF120BRG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 1200V 52A 297W TO247
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16321 Pieces
- Datový list:
- 1.APT33GF120BRG.pdf2.APT33GF120BRG.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro APT33GF120BRG, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu APT33GF120BRG e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3.2V @ 15V, 25A |
| Zkušební podmínky: | - |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 25ns/210ns |
| přepínání energie: | 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247 [B] |
| Série: | - |
| Power - Max: | 297W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | APT33GF120BRGMI APT33GF120BRGMI-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 22 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | APT33GF120BRG |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT |
| Gate Charge: | 170nC |
| Rozšířený popis: | IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B] |
| Popis: | IGBT 1200V 52A 297W TO247 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 104A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 52A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT33GF120BRG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
RJP5001APP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 500V TO-220FN | Dotaz |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Dotaz |
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | Dotaz |
 |
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
 |
IRGR3B60KD2PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK | Dotaz |
|
APT75GN60B2DQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 155A 536W TO264 | Dotaz |
|
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
 |
SGB15N60ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 139W TO263-3 | Dotaz |
 |
FGH75T65SHDTL4 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 150A 455W TO-247 | Dotaz |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
 |
IXGP12N100A | IXYS | IGBT 1000V 24A 100W TO220AB | Dotaz |
 |
STGWT40V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 | Dotaz |
 |
HGTG20N60A4 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 70A 290W TO247 | Dotaz |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog