Koupit APT200GN60B2G s BYCHPS
Koupit se zárukou
APT200GN60B2G
- Part Number:
- APT200GN60B2G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 600V 283A 682W TO247
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 19433 Pieces
- Datový list:
- 1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro APT200GN60B2G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu APT200GN60B2G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 1.85V @ 15V, 200A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 50ns/560ns |
| přepínání energie: | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Série: | - |
| Power - Max: | 682W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | APT200GN60B2GMI APT200GN60B2GMI-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 22 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | APT200GN60B2G |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 1180nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole |
| Popis: | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 600A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 283A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT200GN60B2G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Dotaz |
|
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | Dotaz |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Dotaz |
|
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Dotaz |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Dotaz |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Dotaz |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dotaz |
|
APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog