Koupit AFT18H357-24NR6 s BYCHPS
Koupit se zárukou
AFT18H357-24NR6
- Part Number:
- AFT18H357-24NR6
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- IC TRANS RF LDMOS
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18956 Pieces
- Datový list:
- 1.AFT18H357-24NR6.pdf2.AFT18H357-24NR6.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro AFT18H357-24NR6, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu AFT18H357-24NR6 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | OM-1230-4L2L |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 63W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | OM-1230-4L2L |
| Ostatní jména: | 935312802528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | AFT18H357-24NR6 |
| Získat: | 17.5dB |
| Frekvence: | 1.81GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L |
| Popis: | IC TRANS RF LDMOS |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AFT18H357-24NR6
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT18S260W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
|
AFT18H356-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 | Dotaz |
 |
MRF8S21200HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | Dotaz |
|
AFT18H357-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 | Dotaz |
|
AFT18S230-12NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
|
AFT18S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | Dotaz |
 |
PTAC260302FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Dotaz |
|
AFT18S260W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
|
AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | Dotaz |
 |
PD84008S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Dotaz |
|
AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S | Dotaz |
|
AFT18P350-4S2LR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 | Dotaz |
 |
PTFA080551F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | Dotaz |
|
AFT18HW355SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | Dotaz |
|
AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog